近年来，氮化镓（GaN）基半导体纳米线器件由于其诱人的光电特性和在纳米摄像头干扰器光子学领域的广泛应用前景而引起了人们的广泛关注。带图案器件的侧壁通常涂有金属，对这些器件的性能起着重要作用[6]。解决刻蚀图形中侧壁散射的亚100nm特性，特别是侧壁表面层和颗粒的厚度，是半导体图形器件制造中的重要问题之一。传统的检测工具，如原子力显微镜（AFM）和扫描电子监控屏蔽器（SEM），对于纳米尺度的检测具有很高的分辨率。

    然而，它们不能满足在线检测的刚性要求，特别是对大批量测量速度的高要求。高性价比、大成像面积和高分辨率的光学显微镜是研究这些图案化器件的结构和材料特性的高要求。最近，一些摄像头屏蔽器研究人员报道了在硅衬底上制备具有纳米图形结构的GaN基器件，对光学检测工具的监控干扰器分辨率提出了更高的要求。

 

    由于光学衍射的限制，传统光学显微镜的可实现分辨率在可见光光谱中本质上被限制在~200nm。因此，开发新的光学显微镜模式，以在摄像头干扰器半导体和金属器件的散射领域，特别是在图案化器件中实现更高的分辨率，是一个活跃的研究领域。为了突破衍射极限，研究人员展示了基于结构和散射信息的图案化器件中侧壁层的光学成像。最近，发展了一种散射测量技术，该技术能够在cm2量级的视场上以纳米精度测量纳米纹理样品[17]。与明场照明相比，暗场照明是获得侧壁散射信息的一种更好的选择