其中h是普朗克常数，c是光的速度，λ是摄像头干扰器入射光的波长。一般来说，与R趋势相同的EQE被用作反映光生成电荷载流子收集效率的优点图，并定义为每个入射光子通过PD循环的载流子数。传统的PD结构为金属/电子输运层（ETL）/钙钛矿/空穴输运层（HTL）/铟锡氧化物（ITO）。基于这种结构，csbibr2钙钛矿薄膜PD的响应为21.5pw/cm2，响应时间快20ns，是钙钛矿薄膜器件[70]中最理想的器件[70]。但是，这种结构不适合于单晶监控屏蔽器PD，因为其厚度超过了载流子扩散长度，从而导致载流子复合的增加。

 

    提出了一种金（金）/单晶交指电极，该摄像头屏蔽器电极只使用靠近表面的一部分进行操作。这种结构的PDs具有优越的灵敏度，Lian等人在MAPbI3单晶的（100）面沉积Au，以制备平面型PDs[66]，如图6（a）所示。如图所示，还制备了多晶薄膜PD。6（b）和（c）表明，单晶PDs的R和EQE比薄膜PDs高出100倍以上，响应时间相对快约1000倍，这是由于单晶缺陷密度低所致。沈氏的小组合成透明MAPbCl3 PDs，用于检测紫外线[28]。R谱显示，在30v下，以415nm为中心的窄带，R值为3.73a/W，为研制高性能监控干扰器PDs铺平了道路。

    此外，采用垂直结构PDs制备了可在空气中储存至少14个月的合金化MA0.45FA0.55PbI3单晶，其稳定性突出[21]。以MAPbBr3单晶为原料，用LTGC合成了钯，其R高达1.6×104mA/W，EQE高达3900%（图）。6（d）至（f））[19]。同时，该摄像头干扰器装置在空气中储存35天后，稳定性良好，电流仅损失10%。mappbr3单晶PDs不仅能检测可见光，而且对X射线也敏感[41]（图）。6（g）和（h））。结果表明，mappbr3单晶具有高μτ产物和低表面复合速度，这有助于敏感X射线探测器的研制。X射线PDs的灵敏度可达80μC·Gyair-1cm-2，比α-Se探测器高4倍[71]。这一发现可能拓展了单晶PDs在电子成像行业的应用。