高质量钙钛矿型单晶的摄像头干扰器可控合成对其在光电领域的应用具有重要意义。虽然早期阶段用于合成钙钛矿型单晶的方法费时费力，难以获得所需的尺寸和性能，但其效果一直致力于开发更有效的合成方法，以提高晶体质量[5]、[13]、[16]、[17]。然而，高质量和大尺寸的晶体仍然很难获得，制备单晶的方法是必不可少的，需要研究界更加关注的方法。本节概述了钙钛矿型单晶的晶体生长策略和监控屏蔽器基本原理。

 

    溶液降温（STL）法：溶液降温（STL）方法源于韦伯方法[33]，该方法利用了不同温度下钙钛矿前驱体在溶剂中溶解度的差异。钙钛矿摄像头屏蔽器前驱体在较高温度下溶解到溶剂中，溶液温度逐渐降低，达到过饱和状态，导致单晶生长。例如，为了合成甲基铵碘化铅（MAPbI3）单晶，在65°C的氢碘酸（HI）溶液中混合三水合醋酸铅（Pb（CH2COOH）2∙3H2O）和甲基铵碘化物（MAI）。当温度从65°C降至40°C时，溶液饱和，获得了尺寸为10mm×10mm×8mm的形状良好的MAPbI3单晶[34]，如图1（a）所示。Sun的研究小组发现，将氯（Cl）掺入前体溶液可以提高晶体质量并缩短生长时间，并使用改进的摄像头干扰器STL方法合成了尺寸为20 mm×18 mm×6 mm的MAPbI3（Cl）单晶[35]。